Obleas de silicio monocristalino tipo N
Descargar0.4-1.6 <Ω·cm>
Resistividad
≤12 <ppma>
Contenido de oxígeno
≤1 <ppma>
Contenido de carbono
≥800 <µs>
Duración de portadores minoritarios
Propiedades del material
Proyectos
Especificaciones
Método de detección
Método de crecimiento
Método Czochralski
--
Cristalinidad
Monocristalino
--
Tipo de conductividad
Tipo N
Tester del tipo PN
Tama?o
M10:182.2 × 182.2 × φ247 mm
G12:210 × 210 × φ295 mm
G12-R:182 × 210 × φ272 mm
Clasificador de obleas de silicio
Grosor
M10:90-160 μm
G12:90-160 μm
G12-R:90-160 μm
Clasificador de obleas de silicio
Proyectos | Especificaciones | Método de detección |
---|---|---|
Método de crecimiento | Método Czochralski | -- |
Cristalinidad | Monocristalino | -- |
Tipo de conductividad | Tipo N | Tester del tipo PN |
Tama?o | M10:182.2 × 182.2 × φ247 mm G12:210 × 210 × φ295 mm G12-R:182 × 210 × φ272 mm |
Clasificador de obleas de silicio |
Grosor | M10:90-160 μm G12:90-160 μm G12-R:90-160 μm |
Clasificador de obleas de silicio |
Propiedades eléctricas
Proyectos
Especificaciones
Método de detección
Resistividad
0.4-1.6<Ω·cm>
Clasificador de obleas de silicio
Tiempo de vida de portadores minoritarios
≥800<µs>
Tiempo de vida de portadores minoritarios del tester BCT-400
Contenido de oxígeno
≤12<ppma>
Espectrómetro infrarrojo con transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Contenido de carbono
≤1<ppma>
Espectrómetro infrarrojo con transformada de Fourier
Proyectos | Especificaciones | Método de detección |
---|---|---|
Resistividad | 0.4-1.6<Ω·cm> | Clasificador de obleas de silicio |
Tiempo de vida de portadores minoritarios | ≥800<μs> | Tiempo de vida de portadores minoritarios del tester BCT-400 |
Contenido de oxígeno | ≤12 |
Espectrómetro infrarrojo con transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83) |
Contenido de carbono | ≤1 |
Espectrómetro infrarrojo con transformada de Fourier |
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