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Tipo N

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0.4-1.6 <Ω·cm>

Resistividade

≤12 <ppma>

Teor de oxigênio

≤1 <ppma>

Teor de carbono

≥800 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

Propriedades do material

Item Especifica??es Método de teste
Método de crescimento Método Czochralski --
Cristalinidade Monocristalino --
Tipo de condutividade Tipo N Testador PN
Tamanho M10：182.2*182.2*φ247mm
G12：210*210*φ295mm
G12-R：182*210*φ272mm		 Separador de wafer de silício
Espessura M10：90-160μm
G12：90-160μm
G12-R：90-160μm		 Separador de wafer de silício

Propriedades elétricas

Item Especifica??es Método de teste
Resistividade 0.4-1.6<Ω·cm> Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário ≥800<μs> Tempo de vida da portadora minoritária do testador BCT-400
Teor de oxigênio ≤12 Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono ≤1 Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

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